Выпрямительные мосты для поверхностного монтажа компактны, обладают высокой надёжностью и отличными характеристиками теплоотвода. В большинстве моделей применяется технология стеклянной пассивации кристалла (Glass Passivated), обеспечивающая влагостойкость и высокую стойкость к импульсным токам. Занимаемая на печатной плате площадь значительно меньше, чем у традиционных выводных выпрямительных мостов (DIP), что делает такие мосты идеальным решением для миниатюризации и высокоплотной компоновки современных электронных изделий.

Выпрямительные мосты для монтажа в сквозные отверстия (Through-Hole Bridge Rectifiers) являются одними из самых классических и широко применяемых выпрямительных приборов в электронике. По сравнению с корпусами для поверхностного монтажа (SMD) выводные выпрямительные мосты, как правило, имеют большие размеры, лучшие характеристики теплоотвода, способны выдерживать больший ток и более высокое напряжение, что делает их идеальными для автоматизированных процессов производства, таких как пайка волной припоя.

Быстровосстанавливающиеся выпрямительные мосты для монтажа в сквозные отверстия (Fast Recovery Bridge Rectifiers) являются ключевыми выпрямительными приборами, специально разработанными для высокочастотных импульсных источников питания и инверторных схем. По сравнению с обычными выпрямительными мостами промышленной частоты их главное отличие заключается в использовании кристаллов быстровосстанавливающихся диодов (FRD) или ультрабыстровосстанавливающихся диодов (UFRD), обеспечивающих чрезвычайно малое время обратного восстановления (trr).

Быстровосстанавливающийся выпрямитель (Fast Recovery Rectifier), также часто называемый быстровосстанавливающимся диодом (FRD) или ультрабыстровосстанавливающимся диодом (UFRD), является ключевым базовым электронным компонентом при проектировании высокочастотных источников питания и систем преобразования энергии. За счёт оптимизации внутренней структуры полупроводника он устраняет проблему «задержки выключения» традиционных выпрямительных диодов на высоких частотах и является ключевым прибором для повышения энергоэффективности системы и снижения электромагнитных помех (EMI).

Траншейный МОП-транзистор с экранированным затвором (SGT-MOSFET) представляет собой усовершенствованную инновационную структуру, развивающую традиционный траншейный МОП-транзистор (Trench MOSFET). Благодаря внедрению теории зарядового баланса и дополнительной конструкции экранированного затвора он успешно преодолевает физический предел традиционных кремниевых МОП-транзисторов по соотношению напряжения пробоя и сопротивления в открытом состоянии и является одной из ключевых технологий в области средне- и низковольтной силовой полупроводниковой техники.

SiC МОП-транзистор (МОП-транзистор на основе карбида кремния) — это силовой полупроводниковый прибор, изготовленный на основе карбида кремния (SiC), широкозонного полупроводникового материала третьего поколения. По сравнению с традиционными силовыми приборами на основе кремния (Si) SiC МОП-транзистор благодаря превосходным физическим характеристикам материала демонстрирует значительные преимущества по стойкости к высокому напряжению, высокой термостойкости, работе на высоких частотах, высокой эффективности, а также низкому энергопотреблению и является ключевым компонентом для повышения КПД и плотности мощности современных силовых электронных систем.