Продукция
Траншейный МОП-транзистор
Траншейный МОП-транзистор (траншейного типа) является важной структурной инновацией в области силовой полупроводниковой техники. В отличие от традиционной планарной структуры, его затвор «заглублён» в кремниевую пластину, а трёхмерная конструкция позволяет значительно улучшить характеристики прибора.
Описание
маркер
Описание продукта
Траншейный МОП-транзистор (траншейного типа) является важной структурной инновацией в области силовой полупроводниковой техники. В отличие от традиционной планарной структуры, его затвор «заглублён» в кремниевую пластину, а трёхмерная конструкция позволяет значительно улучшить характеристики прибора.
Типовые модели
VTM41N03J, VTM90N03F
Типовые корпуса
PDFN3*3, DFN5*6, серия QFN, TO-252, TO-220AB
Основная структура и принцип работы
У традиционного планарного МОП-транзистора канал является горизонтальным, в то время как в траншейном МОП-транзисторе на поверхности полупроводника вытравливаются вертикальные траншеи, которые заполняются оксидным слоем и поликремнием для формирования затвора13.
1. Вертикальный проводящий канал: такая конструкция изменяет направление протекания тока с горизонтального на вертикальное, при этом канал параллелен направлению тока.
2. Устранение эффекта JFET: траншейная структура проходит через самую нижнюю часть базовой области p-типа, полностью устраняя существующую в традиционных планарных структурах паразитную область JFET и связанное с ней сопротивление JFET, что значительно снижает удельное сопротивление прибора в открытом состоянии.
| Траншейный МОП-транзистор | ||||||||||||||
| Категория | Модель | Тип МОП-транзистора | VDS, В | ID, А | VGS(th) макс., В | RDS(ON) | VGS макс. | Ciss (пФ) |
Coss (пФ) |
Crss (пФ) |
QG | Корпус | Области применения | |
| VGS=10 В | Vgs=4.5В | (нКл) | ||||||||||||
| мОм (тип.) | мОм (тип.) | В | тип. | тип. | тип. | тип. | ||||||||
| 30В | VTM41N03J | N | 30 | 41 | 2.5 | 6.1 | 8.8 | ±20 | 1209 | 170 | 137 | 24 | PDFN3*3 | |
| VTM90N03F | N | 30 | 90 | 2.0 | 3.5 | 5 | ±20 | 2110 | 280 | 220 | 2.4 | TO-220F | ||
связаться с нами
Сопутствующие популярные продукты
SiC МОП-транзистор
SiC МОП-транзистор (МОП-транзистор на основе карбида кремния) — это силовой полупроводниковый прибор, изготовленный на основе карбида кремния (SiC), широкозонного полупроводникового материала третьего поколения. По сравнению с традиционными силовыми приборами на основе кремния (Si) SiC МОП-транзистор благодаря превосходным физическим характеристикам материала демонстрирует значительные преимущества по стойкости к высокому напряжению, высокой термостойкости, работе на высоких частотах, высокой эффективности, а также низкому энергопотреблению и является ключевым компонентом для повышения КПД и плотности мощности современных силовых электронных систем.
Выпрямительные мосты серии с прямыми выводами
Выпрямительные мосты для монтажа в сквозные отверстия (Through-Hole Bridge Rectifiers) являются одними из самых классических и широко применяемых выпрямительных приборов в электронике. По сравнению с корпусами для поверхностного монтажа (SMD) выводные выпрямительные мосты, как правило, имеют большие размеры, лучшие характеристики теплоотвода, способны выдерживать больший ток и более высокое напряжение, что делает их идеальными для автоматизированных процессов производства, таких как пайка волной припоя.
Выпрямительный мост для поверхностного монтажа
Выпрямительные мосты для поверхностного монтажа компактны, обладают высокой надёжностью и отличными характеристиками теплоотвода. В большинстве моделей применяется технология стеклянной пассивации кристалла (Glass Passivated), обеспечивающая влагостойкость и высокую стойкость к импульсным токам. Занимаемая на печатной плате площадь значительно меньше, чем у традиционных выводных выпрямительных мостов (DIP), что делает такие мосты идеальным решением для миниатюризации и высокоплотной компоновки современных электронных изделий.
Кремниевый управляемый выпрямитель
Кремниевый управляемый выпрямитель (SCR), в промышленности чаще называемый просто тиристором, является чрезвычайно важным мощным полупроводниковым прибором в области силовой электроники. Его основная функция заключается в управлении включением и выключением большого тока с помощью слабого управляющего сигнала (тока управляющего электрода). По сути, это электронный ключ, «управляющий сильным током с помощью слабого сигнала».
Диод Шоттки на основе карбида кремния
Диод Шоттки на основе карбида кремния (SiC SBD) — один из типичных представителей приборов на широкозонных полупроводниковых материалах третьего поколения. Он сочетает превосходные физические свойства карбида кремния (SiC) с униполярной проводящей структурой диода Шоттки, преодолевая пределы характеристик традиционных приборов на основе кремния (Si), и является ключевым компонентом современных высокочастотных, высоковольтных и мощных силовых электронных систем.
Малосигнальные одиночные диоды Шоттки
Малосигнальные одиночные диоды Шоттки — это сверхбыстрые полупроводниковые переключательные приборы, специально разработанные для маломощных схем милливаттного уровня. В отличие от мощных выпрямительных диодов Шоттки, они применяются главным образом в цепях обработки сигналов, логического управления и радиочастотных входных каскадах, обеспечивая целостность слабых сигналов и снижая энергопотребление системы в режиме ожидания благодаря очень низкому напряжению открывания и высокой скорости отклика.
Малосигнальные одиночные переключательные диоды
Малосигнальные одиночные переключательные диоды (также часто называемые малосигнальными диодами) являются одними из наиболее базовых и незаменимых полупроводниковых компонентов в электронных схемах. В отличие от силовых выпрямительных диодов, работающих с большими токами и высокими напряжениями, малосигнальные переключательные диоды специально разработаны для работы с малыми токами (обычно около 100 мА) и высокочастотными сигналами. Их основная функция — работа в качестве электронного ключа, элемента развязки сигналов или защитного элемента.
Траншейный МОП-транзистор с экранированным затвором
Траншейный МОП-транзистор с экранированным затвором (SGT-MOSFET) представляет собой усовершенствованную инновационную структуру, развивающую традиционный траншейный МОП-транзистор (Trench MOSFET). Благодаря внедрению теории зарядового баланса и дополнительной конструкции экранированного затвора он успешно преодолевает физический предел традиционных кремниевых МОП-транзисторов по соотношению напряжения пробоя и сопротивления в открытом состоянии и является одной из ключевых технологий в области средне- и низковольтной силовой полупроводниковой техники.
Малосигнальные одиночные стабилитроны
Малосигнальные одиночные стабилитроны (также часто называемые диодами Зенера) являются ключевыми базовыми полупроводниковыми компонентами, предназначенными для стабилизации напряжения в электронных схемах. В отличие от мощных выпрямительных приборов, применяемых в источниках питания, малосигнальные одиночные стабилитроны специально разработаны для схем с низким энергопотреблением, прецизионных источников опорного напряжения и защиты малосигнальных цепей от перенапряжения.
Быстровосстанавливающиеся выпрямительные мосты серии с прямыми выводами
Быстровосстанавливающиеся выпрямительные мосты для монтажа в сквозные отверстия (Fast Recovery Bridge Rectifiers) являются ключевыми выпрямительными приборами, специально разработанными для высокочастотных импульсных источников питания и инверторных схем. По сравнению с обычными выпрямительными мостами промышленной частоты их главное отличие заключается в использовании кристаллов быстровосстанавливающихся диодов (FRD) или ультрабыстровосстанавливающихся диодов (UFRD), обеспечивающих чрезвычайно малое время обратного восстановления (trr).
Быстровосстанавливающийся выпрямитель
Быстровосстанавливающийся выпрямитель (Fast Recovery Rectifier), также часто называемый быстровосстанавливающимся диодом (FRD) или ультрабыстровосстанавливающимся диодом (UFRD), является ключевым базовым электронным компонентом при проектировании высокочастотных источников питания и систем преобразования энергии. За счёт оптимизации внутренней структуры полупроводника он устраняет проблему «задержки выключения» традиционных выпрямительных диодов на высоких частотах и является ключевым прибором для повышения энергоэффективности системы и снижения электромагнитных помех (EMI).
Выпрямительный диод Шоттки
Выпрямительный диод Шоттки (сокращённо SBR или SBD), также называемый диодом с барьером Шоттки, является чрезвычайно важным базовым полупроводниковым компонентом в современных электронных схемах. Он использует барьер Шоттки, образующийся при контакте металла и полупроводника, для выполнения функции выпрямления. Благодаря низкому энергопотреблению и сверхвысокому быстродействию он занимает незаменимое место в применениях с низким напряжением и большим током, а также в высокочастотных применениях.
Выпрямительный диод Шоттки с низким прямым падением напряжения
Выпрямительный диод Шоттки с низким прямым падением напряжения (диод Шоттки с низким VF) представляет собой усовершенствованную оптимизированную версию диода Шоттки. Благодаря специальной полупроводниковой технологии он, сохраняя присущие диоду Шоттки высокочастотные характеристики и быстрое восстановление, дополнительно снижает прямое падение напряжения (VF), что значительно повышает эффективность преобразования электроэнергии.
